MTI  |  SKU: GAUcA100D055C1US

GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, 4" dia x 0,55 mm, 1 sp

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GaAs, metodo di crescita: VGF (111)A , SI, non drogato, 4" dia x 0,55 mm, 1 sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (111)A
  • Piano primario: US(0-11); Piano secondario: US(2-1-1)
  • Dimensioni: 4" dia x 0,55 mm 
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: Semi-isolante
  • Resistività:(1,55-3,86)E8 ohm.cm
  • Concentrazione del portatore: N/A
  • Mobilità: 4120-5860 cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Nota: wafer pronti per l'EPI

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