MTI  |  SKU: GAUa101006S1US

GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,6 mm, 1SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,6 mm, 1SP

MTI

  • GaAs wafer a cristallo singolo
  • Metodo di crescita:  VGF
  • Orientamento: (100)
  • Dimensioni: 10x10 x 0,6 mm 
  • Lucidatura: un lato lucidato; 
  •  Ra (ruvidità media): < 0,4 nm
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: Semi-isolante
  • Resistività: (0,6-1,1)E8 Ohm.cm
  • Mobilità: 5870-6120 cm^2/v.s.
  • EPD: <5000/cm2

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