MTI  |  SKU: GASia50D035C1US5

GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp,cc: (1,65-3,92) x 10^18 /cm^3

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GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp,cc: (1,65-3,92) x 10^18 /cm^3

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100)
  • Dimensioni: 2" dia x 0,35 mm
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Doping: Drogato con Si
  • Tipo di conduttore: Tipo N
  • Concentrazione di portatori: (1,65 - 3,92) x 10^18 /cm^3
  • Mobilità: 1440 - 2270 cm^2/V.S
  • Resistività: (1,01 - 1,90) E-3 ohm.cm
  • EPD: < 500 cm^2
  • Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI 

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