MTI  |  SKU: GASie50D035C1US5

GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp

€344,43

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, diametro 2" x 0,35 mm, 1sp

MTI

Specifiche tecniche:
  • Wafer a cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 2" dia x 0,35 mm 
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Doping: Drogato con Si
  • Tipo di conduttore: S-C-N
  • Concentrazione di portatori: (1,20-2,45)x10^17/cm^3
  • Mobilità: 3380-3970 cm^2/V.S
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Resistività: (0,76-1,37)x10^-2 ohm.cm
  • Nota: wafer pronti per l'EPI


Prodotti correlati

Altri prodotti GaAs


 		InSb

 		Altro InAs

 		 InP 


 		GaSb

 		Scatola per wafer

 Rivestitore di film

 Forni RTP
Torna all'inizio