MTI  |  SKU: GASie101003S2US

GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10x10x0,3 mm, 2sp

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GaAs, cresciuto in VGF (110) ori. Tipo N, drogato con Si, 10x10x0,3 mm, 2sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 10 x 10 x 0,3-0,35 mm 
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: Drogato con Si
  • Tipo di conduttore: S-C-N
  • Concentrazione dei portatori: (2,49-3,27)x10^18/c.c 
  • Mobilità: 1630-1870cm^2/V.S
  • Resistività:( 1,17-1,4)x10^-3 ohm.cm
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm



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