MTI  |  SKU: GAUe0505055S2US

GaAs, (110) ori. non drogato, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

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GaAs, (110) ori. non drogato, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: 
  • Orientamento: (110)
  • Piatto:PF<110>
  •   SF <100>
  • Dimensioni: 5x5x5,5-5,6 mm
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: S-I
  • Mobilità: 4800 cm^2/V.S
  • Resistività: (1-9)x10^17 ohm.cm
  • Concentrazione di portatori: 1,3x10^7 cm^-3
  • EPD: 1x10^4 cm^-2
  • Ra (ruvidità media) : < 5 Angstrom (RMS)


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