Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata
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Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata
MTI
- ZnO a cristallo singolo
- Tipo N+, drogato con Ga
- Dimensioni: 10 mm x 10 mm x 0,5 mm
- Resistività: 0,1-0,001 ohm-cm
- Orientamento: (0001) +/-0,5o
- Lucidatura: un lato lucidato. Superficie Zn lucidata
- Imballaggio: in sacchetto di plastica di classe 100 in camera bianca di classe 1000
Proprietà tipiche
Struttura di cristallo |
Esagonale: a= 3,252 A , c = 5,313 A |
Metodo di crescita |
Fusione |
Durezza |
Scala 4 moh |
Densità |
~5,0 g/cm3 |
Punto di fusione |
1975 oC |
Banda passante |
3,37 eV |
Specifico calore |
0,125 cal/gm |
Conducibilità |
Tipo N |
Resistività |
0,1-0,001- ohm-cm +/- fattore 2, tipo N |
Conducibilità termica |
0,006 cal/cm/ oK |
Espansione termica |
2.90 x 10-6/oK |
Densità di dislocazione |
< 4 x 104 /cm2 |
Disponibilità del substrato standard | |
Orientamento |
<0001> |
Superficie lucida |
EPI lucidato su uno o due lati fino a Ra < 10 Å |
Dimensione standard |
10x10 mm , 5 x 5 mm |
Spessore |
0,5 mm |
