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SIBa50D03C1FZUS
FZ Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm
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FZ Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo P, drogato B R>1000 ohm-cm
MTI
- Cristallo singolo FZ Si
- Tipo conduttivo: Tipo P/ drogato al boro
- Resistività: >1000 ohm-cm (Se si desidera misurare la resistività in modo accurato,
ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) - Dimensioni: 2'' di diametro x 0,3 mm
- Orientamento: (100)
- Lucidatura: un lato lucidato
- Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).