MTI  |  SKU: Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC (0001) con 8 gradi di disattivazione, tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. portante 1,4 E17/cc, 2sp, spessore 4,3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC (0001) con 8 gradi di disattivazione, tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. portante 1,4 E17/cc, 2sp, spessore 4,3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

MTI

Specifiche tecniche 

Pellicola:
  • 4H-SiC (0001)
  • Spessore target del film: 4,3 micron con (intervallo di accettazione dello spessore) +/- 10%.
  • Strato di drogaggio del film target: 1,4E17/cc con (intervallo di accettazione del drogaggio) +0% /- 30%.
  • Tipo conduttivo Tipo P con 
  • Finitura superficiale Entrambi i lati saranno lucidati dopo la deposizione, lucidatura Epiwafer sia anteriore che posteriore con Ra o RMS < 5 Angstrom
Il substrato:
  • 4H-SiC (0001) Grado primario
  • Fuori asse: errore di taglio 8,0 +/- 0,5 gradi
  • Grado primario: con FWHM 20 secondi d'arco
  • Orientamento OF: parallelo {10-10} +/- 5 gradi
  • Lunghezza OF: 15,9 +/- 1,7 mm
  • Orientamento IF: 90 gradi cw. da OF +/- 5 gradi
  • Lunghezza IF: 8,0 +/- 1,7 mm
  • Diametro: 50,8 +/- 0,38 mm
  • Spessore: 330 +/- 25 um
  • Resistività: < 0,03 ohm-cm
  • Esclusione dei bordi: 1 mm
  • Due lati lucidati con Si-face CMP con rugosità media: Ra < 0,2 RMS

 

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