Diamante su wafer di ossido (DOI), 5 mm x 5 mm, spessore 2um, 10nm Ra

Specifiche:

• Film: UNCD (Diamante Ultrananocristallino)
• Dimensione del wafer: 5x5x0,5 mm
• Orientamento del wafer Si: (100) + / - 0,5^o
• Strato isolante: SiO2
• Spessore del film di diamante: 2 micron, non drogato
• Strato di ossido: 1 micron
• Resistività stimata: ~ 10E5 ohm-cm
• Rugosità superficiale: come da crescita, RA < 10 nm
•  Confezione: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100

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