Al2O3 - Wafer di zaffiro, piano R, diametro 100 mm x 0,525 mm, 2SP - ALR100D0525S2US

Imprevisti:

• Wafer di zaffiro monocristallino
• Purezza> =99,995%
• Dimensioni del wafer: 100 mm di diametro x 0,525 mm+/-25um di spessore 
• Orientamento: Piano R (1102) +/- 0,2 gradi
• Orientamento piano: 31 +/- 2,5 mm
• Posizione piana primaria: Asse C proiettato 45 +/- 2 gradi
• Rugosità superficiale: Ra <= 3 Angstrom
• Due lati lucidati
• Bordo Smussatura: Molato con smussatura a 45 gradi 
• Arco: <= 20um
• Marchio laser: nessuno
  
• Pacchetto: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di grado 100 con contenitore per wafer

• Precauzioni: Il wafer di zaffiro piano R è facile da tagliare rispetto a quello piano C. Si prega di maneggiarlo con cura 

Proprietà tipiche:

• Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
• Punto di fusione: 2040 gradi C
• Densità: 3,97 grammi/cm² 
• Tecnica di crescita: CZ
• Purezza del cristallo: >99.99%
• Durezza: 9 ( mohs)
• Termico Espansione: 7.5x10^{-6 (}/ ^oC)
• Conduttività termica: 46.06 @ 0 ^oC, 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) ) 
• Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
• Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10^-5  sull'asse A,  <5 x10^-5  sull'asse C

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