Al2O3 - Wafer di zaffiro 3" x0,5 mm, piano A (11-20), 2 SP

Caratteristiche:

• Il wafer di zaffiro piano (11-20) viene ampiamente utilizzato come substrato per nitruri III-V e film epitassiali magnetici grazie al suo migliore mismatch reticolare.
• Dimensioni del wafer: 3" di diametro x 0,5 mm di spessore 
• Orientamento: Piano A <11-20>  ori.( +/-05^o) con Standard Flat
• Superficie lucida: Due lati lucidati
• Pacchetto: Ogni wafer è imballato in una camera bianca di classe 1000 con un sacchetto di plastica di grado 100 con un contenitore per wafer.

Proprietà tipiche:

• Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
• Punto di fusione: 2040 gradi C
• Densità: 3,97 grammi/cm² 
• Tecnica di crescita: CZ
• Purezza del cristallo: >99.99%
• Durezza:  9 ( mohs)
• Termico Espansione: 7.5x10^{-6 (}/ ^oC)
• Conduttività termica: 46.06 @ 0 ^oC 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) )
• Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
• Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10^-5  sull'asse A,  <5 x10^-5  sull'asse C

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