MTI  |  SKU: ALA50D05C1

Al2O3 - Wafer di zaffiro 2" x0,5 mm, piano A (11-20), 1 SP - ALA50D05C1

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Al2O3 - Wafer di zaffiro 2" x0,5 mm, piano A (11-20), 1 SP - ALA50D05C1

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Caratteristiche:

  • Il wafer di zaffiro piano (11-20) viene ampiamente utilizzato come substrato per nitruri III-V e film epitassiali magnetici grazie al suo migliore disadattamento reticolare.
  • Dimensioni del wafer: diametro 2" x spessore 0,4 - 0,5 mm 
  • Orientamento: Piano A (11-20)oi.( +-05o) con piano standard
  • Superficie lucida: La superficie del wafer è lucidata EPI tramite una speciale procedura CMP
  • Confezione: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di grado 100 e contenitore per wafer.

Proprietà tipiche:

  • Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
  • Punto di fusione: 2040 gradi C
  • Densità: 3,97 grammi/cm2 
  • Tecnica di crescita: CZ
  • Purezza del cristallo: >99.99%
  • Durezza:  9 ( mohs)
  • Termico Espansione: 7.5x10-6 (/ oC)
  • Conduttività termica: 46.06 @ 0 oC   25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC   ( W/(m.K) ) 
  • Costante dielettrica: ~ 9.4 @300K  sull'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
  • Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10-5  sull'asse A,  <5 x10-5  sull'asse C

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