MTI | SKU:
ALA060605S1
Al2O3 - Wafer di zaffiro 0,25 "x0,25 "x0,5 mm, piano A (11-20), 1 SP
€25,24
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
Al2O3 - Wafer di zaffiro 0,25 "x0,25 "x0,5 mm, piano A (11-20), 1 SP
MTI
Trattozioni:
- Il substrato di zaffiro è il substrato più popolare per i nitruri III-V, i superconduttori e i film magnetici epi grazie al reticolo meno disadattato e alle proprietà chimiche e fisiche stabili..
- Dimensioni del wafer: 0,25" x 0,25" x 0,5 mm di spessore
- Tolleranza di orientamento: +/-0,5 gradi di orientamento sul piano A
- Superficie lucidata: la superficie del substrato è lucidata EPI tramite una speciale procedura CMP con RA < 8 A
- 1 lato lucidato
- Confezione: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di grado 100 e contenitore per wafer.
Proprietà tipiche:
- Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
- Punto di fusione: 2040 gradi C
- Densità: 3,97 grammi/cm2
- Tecnica di crescita: CZ
- Purezza del cristallo: >99.99%
- Durezza: 9 (mohs)
- Espansione termica: 7.5x10-6 (/oC)
- Conduttività termica: 46.06 @ 0 oC, 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )
- Costante dielettrica: ~ 9,4 @ 300K sull'asse A, ~ 11,58 @ 300K sull'asse C
- Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10-5 sull'asse A, < 5 x10-5 sull'asse C

Cliccare sul link sottostante per trovare altri substrati per il nitruro III-V
ZnO | SiC | GaN | MgAl2O4 (spinello) | LiGaO2 |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Altro Al2O3 | Modello AlN |
Portatori di wafer | Pulitori al plasma | Rivestimenti per film |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |