MTI  |  SKU: MIST-1600-6

1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD fino a 6" Wafer - MIST-1600-6

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1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD fino a 6" Wafer - MIST-1600-6

MTI

MIST-1600-6 è un sistema MIST/LPCVD progettato per la crescita epitassiale di film sottili su vari substrati fino a 1600°C riscaldati per induzione. È dotato di un supporto per substrato in grafite riscaldato a induzione con un preciso controllo PID. La testa a doccia in nitruro di boro (BN) consente una deposizione uniforme dei precursori su un substrato a una temperatura elevata. Il sistema è inoltre dotato di una camera al quarzo ermetica per la deposizione LPCVD senza preoccuparsi di perdite di precursori. Si tratta di uno strumento unico per la crescita di film sottili ad alta temperatura, in particolare per i semiconduttori di nuova generazione, come Ga2O3 e BN. 

SPECIFICHE:

Potenza
  • 208-240 VAC, 50/60 Hz, 3 fasi
  • 15 kW
  • È incluso un cavo di alimentazione di 3 metri. La spina di alimentazione non è coperta
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