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OTF1200XPEC4LV50
1200C max. Forno tubolare PECVD con 4 canali di erogazione del gas e pompa del vuoto - OTF-1200X-PEC4LV
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1200C max. Forno tubolare PECVD con 4 canali di erogazione del gas e pompa del vuoto - OTF-1200X-PEC4LV
MTI
OTF-1200X-PEC4LV è un forno compatto PE-CVD (Deposizione di vapore chimico potenziata da plasma) sistema di forni a tuboche consiste in una sorgente di plasma RF da 300 W, un forno a tubi divisi da 2" o 3,14" O.D opzionale, un misuratore di portata massica di precisione a 4 canali con serbatoio di miscelazione del gas e una pompa meccanica di alta qualità. Il forno PE-CVD è uno strumento ideale e conveniente per depositare film sottili o far crescere nanofili dallo stato gassoso (vapore) allo stato solido:
- Lavorazione a temperatura più bassa rispetto alla CVD convenzionale.
- Lo stress del film può essere controllato con tecniche di miscelazione ad alta/bassa frequenza.
- Controllo della stechiometria attraverso le condizioni di processo.
- Offre un'ampia gamma di depositi di materiali, tra cui SiOx, SiNx, SiOxNy e SiNy. Deposizione di silicio amorfo (a-Si:H).
Specifiche tecniche
Forno a tubo diviso
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Pompa del vuoto e valvola
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Pompa Oilless opzionale |
Si prega di ordinare la pompa oilless per ottenere una contaminazione zero:![]() |
Flussimetro di massa![]() ![]() EQ-GSL-LCD |
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Regolatore di temperatura |
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Opzionale
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Dimensioni complessive
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Garanzia
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Un anno di garanzia limitata con supporto per il tempo di sollevamento (le parti di consumo come i tubi di lavorazione, gli O-ring e gli elementi di riscaldamento non sono coperti dalla garanzia, si prega di ordinare la sostituzione ai prodotti correlati qui sotto). |
Computer portatile, software e controllo WiFi (opzionale)
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Conformità |
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