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Tubo di mandata del gas in teflon, FA-PTFE-14D

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Regolatore di temperatura per forno EQ-DHG-9070V Regolatore per forno di essiccazione EQ-DHG-9070V - MTI-TC-DHG9070

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Sistema di controllo della temperatura per la gestione dei forni MTI con laptop -MTS02

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Unità di controllo della temperatura (PWM) con 30 segmenti programmabili Opzionale 2- 5KW - MTC-C4

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Unità di controllo della temperatura (PWM) con PID e 30 segmenti programmabili per riscaldatori a induzione MTI - EQ-MTC-808

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Unità di controllo della temperatura SCR ) con 30 segmenti programmabili fino a 1500C 1- 5 KW - EQ-MTC-A5

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Piastra in vetro temperato per la fusione manuale del nastro da parte di Doctor Blade (362 mm L x 200 mm L x 5 mm T) - TGlass

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Ruote di tensione o ruote di guida per il modello OLD MTI-STX202, MTI-STX202-GW

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TeO2 (110) 10x10x0,5mm, 1sp - TeOe101005S1

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TeO2 (110) 10x10x0,5mm, 2sp - TeOe101005S2

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Morsettiera - MTI-TB-1506

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TGG Substrato a cristallo singolo: (111) 10 x 10 x. 0,5mm , 1 SP - TGGc1010S1

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TGG Substrato a cristallo singolo: (111) 10 x 10 x. 0,5mm , 2 SP - TGGc1010S2

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L'O-Ring per la trappola a freddo per il recupero dei condensabili - EQ-CCT-OR-LD

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Sistema di evaporazione termica per wafer da 2" con 4 sorgenti e un regolatore di temperatura - GSL-1700X-EV4

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Isolamento termico per la copertura di riscaldamento del VTC100PA, 6" INCH

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Wafer di ossido termico, strato di SiO2 da 30 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:<0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di 100 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,50 mm t, tipo P, drogato B 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato SiO2 da 100 nm su Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, tipo N, drogato P, 1SP R: 0,1-1,0ohm.cm - Fm100SOonSIPa100D0525C1R01US

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Wafer di ossido termico: 100 nm SiO2 su Si (100), 10 x 10 x 0,5 mm, tipo N, drogato con As, 1SP, R: 0,001-0,005 ohm.cm