Substrato di cristallo A-Z

MTI

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

MTI

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

MTI

Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

MTI

VGF-GaAs (100) tipo N drogato Si 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

MTI

VGF InP (110) drogato con Fe, wafer da 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer 10x10x 0,35 mm, 1sp

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

MTI

VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US

MTI

VGF InP (100) drogato con Fe, wafer da 2" x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

MTI

VGF -InP (100) non drogato 5x5x0,35mm, 1sp

MTI

Substrato SrTiO3 con superficie a gradini e Ti terminato (100) 10x10x0,5mm, 1 SP - STOa101005S1StepUS

MTI

SrTiO3 Substrato a cristallo singolo, (100)ori. 10x3x0,5mm, 1sp

MTI

Orientamento SrTiO3(111) +/-0,1 gradi, con bordo <110> da materiali provenienti dalla Cina, 10x3x0,5 mm 1sp - STOc100305S1deg01

MTI

SrTiO3 (111)+/-0,1 deg 10x10x0,5mm, 1sp, (cristallo prodotto in Giappone)

MTI

SrTiO3 (111) 5x5x0,5 mm wafer lucidato a specchio 2 SP - STOc050505S2

MTI

SrTiO3 (111) 5x5x0,5 mm wafer lucidato a specchio 1 SP - STOc050505S1

MTI

SrTiO3 (111) 10x5x0,5mm, 1sp - STOc100505S1

MTI

SrTiO3 (111) 10x3x0,5mm, 1sp

MTI

SrTiO3 (111) 10x10x0,5 mm Cialda lucidata a specchio 2 SP - STOc101005S2