Substrato di cristallo A-Z

MTI

YSZ (111) 5x5x0,5mm, 1SP - YSZc050505S1

MTI

YSZ (111) 10x10x1.0mm, 1SP - YSZc101010S1

MTI

YSZ (111) 10x10x0,5mm, 2SP - YSZc101005S2

MTI

YSZ (111) 10x10x0,5mm, 1SP - YSZc101005S1

MTI

YSZ (111) 1 "x1 "x0,5mm, 2SP

MTI

YSZ (111) 1 "x1 "x0,5mm, 1SP

MTI

YSZ (111) 0,5 "x0,5 "x0,5mm, 1SP - YSZc121205S1

MTI

W - Foglio metallico policristallino di tungsteno: 125 larghezza x 200 lunghezza x 0,1 mm di spessore - MF-W-Foil-200L

MTI

VGF-InAs (111)B, tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp

MTI

VGF-InAs (111)A, tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp

MTI

Wafer VGF-Ge(100), diametro 100 mm x 0,4 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga), R:0,0038-0,0158 Ohm.cm

MTI

VGF-Ge Wafer(100) 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

MTI

VGF-Ge Wafer(100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,1-0,182 ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga)

MTI

Wafer VGF-Ge (100) con errore di taglio di 6 gradi verso <111> , diametro 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), R: 0,3-0,33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US

MTI

Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con As), R: 0,173-0,25 ohm.cm

MTI

Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con As), R: 0,088-0,183ohm.cm