MTI | SKU:
SiUa101D05C2R1000
Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000
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Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000
MTI
- Si a cristallo singolo,
- Conduttività: Non drogato
- Tipo: N
- Resistività: > 1000 ohm-CM
- Dimensioni: 4" di diametro x 0,5 mm
- Orientamento: (100)
- Lucidatura: due lati lucidati
- Rugosità superficiale: < 5A