ALD/CVD/PVD

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Forno a doppio tubo scorrevole da 1200 C max con flange per tubi da 50 mm per TCVD - OTF-1200X-S-50-DFSL

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Forno a doppia zona a tubi divisi a 1200 C con sistema di alimentazione dei campioni fino a 4 crogioli per HPCVD - OTF-1200X-II-ZL

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Forno rotativo 1100C 15 con 3 zone e alimentazione della polvere per CVD in polvere - OTF-1100X-R-15-AF

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Forno rotativo CVD assistito da plasma a 1200°C con tubo da 2" - GSL-1200R-MWPE

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Forno tubolare con vuoto spinto (1E-4 torr) e stazione di flusso del gas a 3 canali per CVD - Serie OTF-1200X-HVC3

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Forno tubolare a tre zone (4") con pompa del vuoto (1,0E-4 torr) + 9 canali di flussimetri digitali per gas CVD - OTF-1200X-4-III-9HV

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Forno tubolare a tre zone (1200C) con stazione ad alto vuoto (1,0E-4 torr) + stazione gas MFC a 4 canali per CVD - OTF-1200X-III-HVC-LD

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Forno tubolare CVD a tre zone con tubo al quarzo da 8,5" e flangia scorrevole (1100C) - GSL-1100X-8,5-III-SR

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Deposizione chimica in fase di vapore potenziata con plasma ad alto vuoto (tipo CCP) - VTC-PECVD

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Forno con spruzzatura a ultrasuoni a 1,7 MHz fino a 1800 C per la formazione di particelle speciali - GSL-1800X-PGEP

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Forno CVD MIST economico (1200°C max.) per la crescita di cristalli - OTF-1200X-S-Mist

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Forno CVD a doppio tubo (11"/10") (1200°C max.) per la crescita del grafene su grandi superfici -GSL-1100X-III-D11

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Doppio tubo di quarzo (5"/4") e forno CVD a tre zone fino a 1200C per film di grafene - OTF-1200X-III-D5-4

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Sistemi compatti di vaporizzazione dei liquidi con controllo della temperatura e della pressione per CVD e DLCVD - LVD-F1

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Sistema di deposizione a strato atomico potenziato da plasma a 800°C (PE-ALD) con stadio rotante da 4" - ALD-800X-4-PE

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Forno a tubo diviso PECVD da 5" (1200C max.) con stazione della pompa del vuoto - OTF-1200X-5L-PE

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Forno PECVD compatto a scorrimento automatico con tubo da 2" e pompa del vuoto, max. 1200C - OTF-1200X-S50-PESL

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Forno tubolare rotante compatto a due zone da 5" @1100C max per CVD di polveri - OTF-1200X-S-II-R5

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Forno tubolare rotante compatto a due zone da 2" @1100C max per CVD di polveri. - OTF-1200X-S-R-II

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Sistema di forni tubolari combinati ALD e PECVD - OTF-1200X-ALD