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SIBa152D0675C1R1US
Wafer Si (100), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 1-30ohm-cm - SIBa152D0675C1R1US
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Wafer Si (100), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 1-30ohm-cm - SIBa152D0675C1R1US
MTI
- Silicio wafer a cristallo singolo
- (100) orientamento
- Diametro 6" x 0,65 -0,7 mm
- Tipo P, drogato al boro
- Resistività: 1-30 ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) -
Un lato lucidato
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per maneggiare il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).