MTI  |  SKU: SIBa101D0525C1R200FZ

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività>200 ohm-cm

€81,11

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività>200 ohm-cm

MTI

  • Cristallo singolo    Si
  • Conduttività: Tipo P (drogato B)
  • Resistività: >200 ohm-cm
  • Dimensioni: 4" di diametro x 0,525 (+/- 0,025) mm
  • Orientamento: (100) +/- 1,0 gradi 
  • Lucidatura: Lucidato su un lato
  • Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare). 

Altri wafer di cristallo A-Z

Pulitore al plasma

 Contenitori per wafer

Sega per cubettatura

Rivestitore di film
Torna all'inizio