MTI  |  SKU: SiUa101D05C1R15000

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: > 15.000 ohm-cm

€175,81

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Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: > 15.000 ohm-cm

MTI

  • Cristallo singolo: Si 
  • Conduttività:Non drogato
  • Tipo: N
  • Resistività: >15000 ohm-CM
  • Dimensioni: 4" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100) 
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità di superficie: < 5A

Opzionale: potete avere bisogno dello strumento qui sotto per trattare il wafer (cliccate l'immagine per ordinare)

Scriba diamantata per il taglio del substrato di cristallo singolo - DS-01

Tergicristallo in microfibra e senza polvere, 4 "x4", 100 pezzi/borsa - Wiper-yx-2001

Penna a vuoto SMT-150C (NUOVA) - EQ-SMT-150C

Contenitori per wafer singoli


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