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MTI | SKU:
SiUa101D05C1R1000
Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: >1.000 ohm-cm - SiUa101D05C1R1000
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Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, non drogato con resistività: >1.000 ohm-cm - SiUa101D05C1R1000
MTI
- Cristallo singolo: Si
- Conduttività: non drogato
- Tipo: N
- Resistività: >1000 ohm-CM
- Dimensioni: 4" diametro x 0,5 mm
- Orientamento: (100)
- Lucidatura: un lato lucidato
- Rugosità di superficie: < 5A
Opzionale: potete avere bisogno dello strumento qui sotto per trattare il wafer (cliccate l'immagine per ordinare)
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