MTI  |  SKU: SiAsa101D02C1R0001

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,2 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm

€108,16

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Wafer Si (100), diametro 4" x 0,2 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm

MTI

  • Cristallo singolo Si, (CZ)  
  • Conduttività: Tipo N (drogato con As)
  • Resistività: 0,001-0,005 ohm-cm  (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
      ordinare il nostro     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
  • Dimensioni: 4" di diametro x 0,2 mm
  • Orientamento: <100 > +/- 0,5 gradi
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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