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SIUa76D05C2R1000
Wafer Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 2sp, tipo N, non drogato, R>1000 ohm-cm - SIUa76D05C2R1000
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Wafer Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 2sp, tipo N, non drogato, R>1000 ohm-cm - SIUa76D05C2R1000
MTI
- Si a cristallo singolo,
- Resistività: >1.000 ohm-CM
- Dimensioni: 3" di diametro x 0,5 mm
- Orientamento: (100)
- Lucidatura: Due lati lucidati
- Rugosità superficiale: < 5A
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