MTI  |  SKU: GEUc25D05C1R50

Wafer Ge (111) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

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Wafer Ge (111) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

MTI

Specifiche del wafer Ge

  • Metodo di crescita: CZ
  • Orientamento: (111) +/-0,5 gradi.
  • Dimensioni del wafer: 1" dia x 0,5 mm
  • Lucidatura superficiale: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: Ra < 10 A ( by AFM)
  • Doping: Undoped
  • Conductor type: N-type
  • Resistivity: >50 Ohm/cm  (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
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     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                     
     
  • Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

  • Struttura: Cubica, a = 5,6754 A
  • Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
  • Punto di fusione: 937,4 oC
  • Conduttività termica: 640