Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) resistività: 0,005-0,01ohm-cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (111) +/_0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: diametro 2" x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: due lati lucidati ad epi
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,005-0,01Ohms/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                 
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000     

Proprietà tipiche:

• Struttura:                        Cubica, a = 5,6754 A
• Densità:                          5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937.4 ^oC
• Conduttività termica:       640