MTI  |  SKU: GEGac50D04C2R0035US

Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,4 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) Resistività: 0,035-0,039ohm-cm

€297,85


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Wafer Ge (111) diametro 2" x 0,4 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) Resistività: 0,035-0,039ohm-cm

MTI

Specifiche del wafer Ge

  • Metodo di crescita: CZ
  • Orientamento: (111) +/_0,5 Deg.
  • Dimensioni del wafer: 2" dia x 400 micron 
  • Lucidatura della superficie: due lati lucidati ad epi
  • Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
  • Doping: Drogato Ga
  • Tipo di conduttore: Tipo P
  • Resistività: 0,035-0,039 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
      ordinare il nostro
     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)           
  • Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

  • Struttura:                        Cubica, a = 5,6754 A
  • Densità:                          5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
  • Punto di fusione: 937.4 oC
  • Conduttività termica:       640