Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,45 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/_0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: diametro 2" x 450 micron 
• Lucidatura della superficie: due lati lucidati ad epi
• Rugosità superficiale: RMS o Ra:~ 10 A (tramite AFM)
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,001-0,01 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)               
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754 A
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640