Wafer Ge (100) diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/-0,5 gradi.
• Dimensioni del wafer: diametro 2" x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: un lato lucidato a caldo
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,0007-0,002 ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                   
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754 Å
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640