Wafer GaP, non drogato (111) 10x10x0,35 mm, 2sp - GPUc1010035S2

Proprietà fisiche tipiche

Struttura cristallina

Cubica. a =5,4505 Å

Metodo di crescita

CZ (LEC)

Densità

4,13 g/cm³

Punto di fusione

1480  ^oC

Espansione termica

5.3 x10^-6  / ^oC

Dopante

Drogato S

non drogato

Asse di crescita del cristallo

<111> o <100>

<100> o <111>

Tipo di conduzione

N

N

Concentrazione del vettore

2 ~ 8 x10¹⁷ /cm³

4 ~ 6 x10¹⁶ /cm³

Resistività

~ 0,03 W-cm

~ 0,3 W-cm

EPD

< 3x10⁵

< 3x10⁵