Wafer GaP, drogato S, (100), 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

Proprietà fisiche tipiche

Struttura del cristallo

Cubica. a =5,4505 ?

Metodo di crescita

CZ (LEC)

Densità

4,13 g/cm³

Punto di fusione

1480  ^oC

Espansione termica

5.3 x10^-6  / ^oC

Dopante

Drogato S

non drogato

Asse di crescita del cristallo

<111> o <100>

<100> o <111>

Tipo di conduzione

N

N

Concentrazione del vettore

(2 ~ 12) x10¹⁷ /cm³

4 ~ 6 x10¹⁶ /cm³

Resistività

~ 0.03ohm-cm

~ 0.3 ohm-cm

EPD

< 3x10⁵

< 3x10⁵