Wafer di zaffiro Al2O3, piano M (10-10) Dia da 3" x 0,5 mm, 2sp

Specifiche:

• Orientamento: Piano M, <10-10> +/-0,5^`o
• Dimensioni del wafer: 3" dia x 0,5 mm di spessore 
• Lucidato a due lati con Epi
• Superficie lucidata: La superficie del wafer è lucidata a EPI mediante una speciale procedura CMP. Ra <5A
• Confezione: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di grado 100 e contenitore per wafer. 

Proprietà tipiche:

• Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
• Punto di fusione: 2040 gradi C
• Densità: 3,97 grammi/cm² 
• Tecnica di crescita: CZ
• Purezza del cristallo: >99.99%
• Durezza: 9 ( mohs)
• Termico Espansione: 7.5x10^{-6 (}/ ^oC)
• Conduttività termica: 46.06 @ 0 ^oC, 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) ) 
• Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
• Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10^-5  sull'asse A,  <5 x10^-5  sull'asse C

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