Wafer di zaffiro Al2O3, piano C (0001), diametro 3 "x0,5 mm, 1SP - ALC76D05C1US

• Zaffiro (cristallo singolo di Al₂O₃ ) viene ampiamente utilizzato come substrato per i nitruri III-V e per molti altri film epitassiali. 
• Orientamento: Asse C[0001]( +-0,3^o) con Standard Flat
• Diametro: 76,2 mm +/- 0,1 mm
• Spessore: 500um +/- 25 um
• Piano maggiore: asse A[11-20]+/-0,2^o
• Lunghezza piatto maggiore: 22 mm +/- 1,0 mm
  
• Finitura superficiale: Lati anteriori: Epi-lucidato Ra<0,5nm (da AFM)
• TTV: < 10um
• Superficie lucidata: Un lato epi lucidato da una speciale tecnologia CMP
• Confezione: Ogni wafer è confezionato in una camera bianca di classe 1000. 

Proprietà tipiche:

• Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
• Punto di fusione: 2040 gradi C
• Densità: 3,97 grammi/cm² 
• Tecnica di crescita: CZ
• Purezza del cristallo: >99.99%
• Durezza: 9 ( mohs)
• Termico Espansione: 7.5x10^{-6 (}/ ^oC)
• Conduttività termica: 46.06 @ 0 ^oC, 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) ) 
• Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
• Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10^-5  sull'asse A,  <5 x10^-5  sull'asse C

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