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ALC25D05C2
Wafer di zaffiro Al2O3, piano C (0001), diametro 1" x0,5 mm 2SP - ALC25D05C2
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Wafer di zaffiro Al2O3, piano C (0001), diametro 1" x0,5 mm 2SP - ALC25D05C2
MTI
Caratteristiche:
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- Zaffiro (cristallo singolo di Al2O3 ) viene ampiamente utilizzato come substrato per i nitruri III-V e per molti altri film epitassiali.
- Dimensioni del wafer: 1" di diametro x 0,5 mm di spessore
- (0001) Orientamento del piano C ( +-0.5o) con il piano standard
- Superficie lucida: due lati lucidati con la speciale tecnologia CMP
- Rugosità superficiale: Ra < 5 A (mediante AFM)
- Pacchetto: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di grado 100 e contenitore per wafer.
Proprietà tipiche:
- Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
- Punto di fusione: 2040 gradi C
- Densità: 3,97 grammi/cm2
- Tecnica di crescita: CZ
- Purezza del cristallo: >99.99%
- Durezza: 9 ( mohs)
- Termico Espansione: 7.5x10-6 (/ oC)
- Conduttività termica: 46.06 @ 0 oC, 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )
- Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
- Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10-5 sull'asse A, <5 x10-5 sull'asse C
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