MTI  |  SKU: ALC060605S1

Wafer di zaffiro Al2O3, piano C (0001), 0,25 "x0,25 "x0,5mm, 1SP - ALC060605S1

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Wafer di zaffiro Al2O3, piano C (0001), 0,25 "x0,25 "x0,5mm, 1SP - ALC060605S1

MTI

Caratteristiche: 

  • Il substrato di zaffiro è il substrato più popolare per i nitruri III-V, i superconduttori e i film magnetici epi grazie al reticolo meno disadattato e alle proprietà chimiche e fisiche stabili.
  • Dimensioni del wafer: 0,25" x 0,25" x 0,5 mm di spessore
  • Tolleranza di orientamento: +/-0,5 Deg. Orientamento del piano C
  • Superficie lucidatala superficie del substrato è lucidata con EPI mediante una speciale procedura CMP con RA < 8 A
  • Confezione: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di grado 100 e contenitore per wafer.

Proprietà tipiche:

  • Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
  • Punto di fusione: 2040 gradi C
  • Densità: 3,97 grammi/cm2 
  • Tecnica di crescita: CZ
  • Purezza del cristallo: >99.99%
  • Durezza: 9 ( mohs)
  • Termico Espansione: 7.5x10-6 (/ oC)
  • Conduttività termica: 46.06 @ 0 oC, 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) ) 
  • Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
  • Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10-5  sull'asse A <5 x10-5  sull'asse C
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