Wafer di Si (100), 3 "dia x 0,38 mm, 1sp, tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm

• Cristallo singolo Si  
• Conduttività: Tipo P (drogato B)
• Resistività: 1~10 ohm-cm  (Se si desidera misurare la resistività con precisione, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
• Dimensioni: 3" di diametro
• Spessore: 0,381 +/- 0,025 mm
• Orientamento: (100) 
• Lucidatura: Un lato lucidato
• Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).