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GAUa76D05C2US5
Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 3" D x0,5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5
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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 3" D x0,5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5
MTI
Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 3" dia x 0,5 mm
Lucidatura: entrambi i lati lucidati;
Doping: non drogato
Tipo di conduttore: Semi-isolante
Resistività: ( 0,6-4,04)x10^8Ohm.cm
Mobilità: 4510-6380cm^2/V.S
EPD: <5000cm^-2
Primopiano: EJ(0-1-1)+-1 grado, 22+-1.0mm
Piatto minore: EJ(0-1-1)+-1 grado, 11+-1.0mm
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Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 3" dia x 0,5 mm
Lucidatura: entrambi i lati lucidati;
Doping: non drogato
Tipo di conduttore: Semi-isolante
Resistività: ( 0,6-4,04)x10^8Ohm.cm
Mobilità: 4510-6380cm^2/V.S
EPD: <5000cm^-2
Primopiano: EJ(0-1-1)+-1 grado, 22+-1.0mm
Piatto minore: EJ(0-1-1)+-1 grado, 11+-1.0mm
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