MTI | SKU:
ALC1010025S1
Wafer Al2O3 - Zaffiro, piano C (0001), 10x10x0,25 mm, 1SP ALC1010025S1
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Wafer Al2O3 - Zaffiro, piano C (0001), 10x10x0,25 mm, 1SP ALC1010025S1
MTI
Caratteristiche:
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Il substrato di zaffiro è il substrato più popolare per i nitruri III-V, i superconduttori e i film magnetici epi, grazie al reticolo meno disadattato e alle proprietà chimiche e fisiche stabili.
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Dimensioni del wafer: 10 x 10 x 0,25 (+/-0,05) mm di spessore
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Orientamento: <0001> +/-0.5o
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Superficie lucidata: la superficie del substrato è lucidata EPI tramite una speciale procedura CMP con RA < 5 A
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un lato lucidato
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Confezione: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di grado 100 e contenitore per wafer.
Proprietà tipiche:
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Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
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Punto di fusione: 2040 gradi C
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Densità: 3,97 grammi/cm2
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Tecnica di crescita: CZ
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Purezza del cristallo: >99.99%
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Durezza: 9 (mohs)
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Espansione termica: 7,5x10-6 (/ oC)
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Conduttività termica: 46,06 @ 0 oC, 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )
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Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K sull'asse A ~ 11,58@ 300K sull'asse C
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Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10-5 sull'asse A, <5 x10-5 sull'asse C