Wafer a cristallo singolo Ge, tipo N non drogato (111) 4 "x0,5 mm, 1sp.R:50 ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (111) +/-0,5 gradi.
• Dimensioni del wafer: diametro 4" x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: un lato lucidato a caldo
• Rugosità superficiale: < 30 A ( by AFM)
• Doping: Un- Doped
• Conductor type: N-type
• Resistivity: >50 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000   

Proprietà tipiche:

• Struttura:                         Cubica, a = 5,6754Å
• Densità:                            5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione:  937.4 ^oC
• Conduttività termica: 640

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