Template GaN su zaffiro, piano C, 10x10 x0,5 mm, film: 30 micron di spessore

Il GaN Template su zaffiro è realizzato con un metodo basato sull'epitassia in fase di vapore di idruri (HVPE). Durante il processo HVPE, HCl reagisce con Ga fuso per formare GaCl, che a sua volta reagisce con NH3 per formare GaN. Il GaN template è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di GaN.

Specifiche tecniche

• Dimensioni 10mmx10mm x0,5mm 
• Substrato ZaffiroOrientamento C (0001) +/- 1,0 ^o
• Tipo di conduzione: tipo n,
• Resistività < 0.5 Ohm-cm
• Front Surface Finish (Ga Face) As-grown
•  Back Surface Finish Sapphire as-received finish
•  Useable Surface Area >90% 
•  Area di esclusione dei bordi 1 mm
•  Confezione Contenitore per singolo wafer
• Spessore dello strato di GaN 30 micron, (+/- 10%) con rugosità: ~10 nm RMS misurata dal Wyko (interferometro a luce bianca) per un'area di 50 umx50 um

Dati correlati

• Cliccare qui per vedere Curva di oscillazione XRD di un modello GaN
• Cliccare qui per vedere Dislocazione vs. spessore della sagoma di GaN
• Cliccare qui per vedere RMS del modello GaN

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