Template GaN su zaffiro (11-02), 5 x 5 mm x 0,5 mm, 1sp, film GaN: 5um - FmGaNonALR050505S1FT5um

Il GaN Template su saphire è realizzato con un metodo basato sull'epitassi in fase di vapore di idruro (HVPE). Durante il processo HVPE, HCl reagisce con Ga fuso per formare GaCl, che a sua volta reagisce con NH3 per formare GaN. Il GaN template è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di GaN.

Specifiche tecniche

• Dimensioni 5mmx5mm
• Substrato ZaffiroOrientamento R (00.1) +/- 1.0 ^o
• Tipo di conduzione: tipo n,
• Resistività < 0.5 Ohm-cm
• Front Surface Finish (Ga Face) As-grown
• Back Surface Finish Sapphire as-received finish
• Useable Surface Area >90% 
• Area di esclusione dei bordi 1 mm
• Confezione Contenitore per singolo wafer
• Spessore strato GaN 5 micron, (=/- 10%)

• Cliccare qui per vedere Curva di oscillazione XRD del modello GaN
• Cliccare qui per vedere Dislocazione vs. spessore della sagoma di GaN
• Cliccare qui per vedere RMS del modello GaN

Prodotti correlati

Film sottili A-Z	Wafer di cristallo A-Z	Pulitore al plasma	Contenitori per wafer	Sega per cubettatura	Rivestitore di film