Template GaN su zaffiro (0001), tipo N non drogato, diametro 2" x 0,43 - 0,5 mm, 1sp, film GaN: 4 - 5 micron

-Il Template di GaN su zaffiro è realizzato con un metodo basato sull'epitassia in fase di vapore di idruro (HVPE). Durante il processo HVPE, HCl reagisce con Ga fuso per formare GaCl, che a sua volta reagisce con NH3 per formare GaN. Il GaN template è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di GaN.

Specifiche tecniche

• Dimensioni 2" rotondo
• Dimensioni 50,8 mm +/- 0,25 mm
• Substrato ZaffiroOrientamento asse c (0001) +/- 1,0 ^o
  
• Spessore del substrato in zaffiro: 0,43 mm+/-0,025 mm
  Tipo di conduzione: Tipo N,
• Resistività < 0.5 Ohm-cm
• Front Surface Finish (Ga Face) As-grown
• Back Surface Finish Sapphire as-received finish
• Useable Surface Area >90% 
• Area di esclusione dei bordi 1 mm
  Densità di dislocazione: <5x10^8 cm^?2 
  
• Pacchetto Contenitore a singolo wafer
• Spessore dello strato di GaN 4-5 micron, (+/- 10%) con rugosità: ~5 nm RMS 

 Dati relativi

• Cliccare qui per vedere Curva di oscillazione XRD di un modello GaN
• Cliccare qui per vedere Dislocazione vs. spessore della sagoma di GaN
• Cliccare qui per vedere RMS del modello GaN

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