Template GaN su wafer di silicio da 2", film GaN (500 nm), tipo N, non drogato su substrati di Si (111), 2 "x 0,279 mm, 1sp

Il GaN Template su silicio è realizzato con un metodo basato sull'epitassia in fase di vapore di idruro (HVPE). Durante il processo HVPE, HCl reagisce con Ga fuso per formare GaCl, che a sua volta reagisce con NH3 per formare GaN. Il GaN template su silicio è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di GaN.

• Spessore nominale del GaN: 0,5 m ± 0,1 m
• Finitura superficiale anteriore (Ga-face): <1nm RMS, come cresciuto 
  
• Finitura della superficie posteriore: come ricevuta
  
• Orientamento del GaN: Piano C (00.1)
• Polarità: Faccia di Ga
• Tipo di conduzione: Non drogato (N-)
• Densità di macrodifetti: <5/cm^2
• Base del wafer: Silicio [111], tipo N, drogato P, Res: 1-10 ohm-cm, 2" di diametro x 0,279 mm, un lato lucidato
• Tra il silicio e il GaN è presente uno strato tampone di AlN di circa 200 nm. 

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• Cliccare qui per vedere Dislocazione vs. spessore della sagoma di GaN

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