Template di AlN non drogato su silicio da 2" (Si <111> N) 2 "x 500 nm - FmAlNonSiPc50D05C1FT500nmUS

Il Template AlN su silicio è realizzato da un PVDNC metodo PVDNC. Il template di AlN su silicio è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di AlN.

Specifiche tecniche

• Area utile: 90%
• Spessore nominale AlN: 500nm ±10%, film AlN rivestito su un lato e non drogato
• Superficie frontale: <1nm RMS, as-grown
• Superficie posteriore: silicio di tipo N
• Orientamento AlN: Piano C (00.1)
• Densità dei macrodifetti: <1/cm^2
• Base del wafer: Silicio [111] tipo N, diametro 2" x0,5 mm, un lato lucidato

   

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Dati correlati

• Scheda di sicurezza AlN

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