Substrato Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, tipo N non drogato .R>50 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10x10x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: un lato epi lucidato
• Orientamento: (111)
• Rugosità superficiale: < 8 A ( by AFM)
• Doping: Undoped
• Conductor type: N-type
• Resistivity: >50 Ohm/cm
• EPD: N/A
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
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