Substrato Ge (110) 10x10x 0,5 mm, 1 SP, drogato con Sb, R:1-5 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10x10x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: un lato lucidato otticamente
• Orientamento: (110)  
• Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 30A
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 1-5 Ohm/cm
• EPD: N/A
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
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