Substrato Ge (100) 5x 5x0,5 mm, 1 SP, non drogato, tipo N. R>50 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 5x5x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: un lato epi lucidato
• Orientamento: (100)
• Rugosità superficiale: < 8 A ( by AFM)
• Doping: Undoped
• Conductor type: N-type
• Resistivity: >50 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer